Золотая тонкая пленка Goodfellow

Gold сочетает в себе непревзойденную электропроводность, химическую инертность и оптическую отражательную способность золота с точным контролем осаждения тонкой пленки. Эти пленки, часто создаваемые путем напыления или испарения, обеспечивают равномерную толщину и гладкость поверхности, необходимые для микроэлектроники, фотоники и сенсорных технологий. Они широко используются в полупроводниковых межсоединительных слоях, отражающих оптических покрытиях и биосовместимых поверхностях электродов. Ключевые области применения включают плазмонные устройства, высокопроизводительные фотодетекторы и устойчивые к коррозии контакты микросхем. Технологии, использующие тонкие пленки золота, включают идеальные узкополосные поглотители для фотонной фильтрации, многоразовые датчики хлора в очистке воды и зеркала с высокой отражательной способностью в лазерных системах. Благодаря настраиваемой толщине, влияющей на кристаллическую структуру, морфологию поверхности и оптическое поведение, эти пленки имеют решающее значение в исследованиях взаимодействия света и материи, квантовых устройств и гибкой электроники. Золотая тонкая пленка остается незаменимым материалом, где воспроизводимость, чистота и производительность определяют успех как в научных открытиях, так и в промышленном применении.

Формула: Au
Форма: тонкая пленка
Материал: Золото
CAS Номер: 7440-57-5
Товар: драгоценные металлы

Плотность площади	Сторона 1	Сторона 2	Support	Толщина	Кат. номер
96,5 мкг/см?	10 мм	10 мм	Постоянный кварц 0,5 мм	0,05 мкм	1000032376
200 мкг/см?	10 мм	10 мм	Постоянный кварц 0,5 мм	0,1 мкм	1000032387
400 мкг/см?	10 мм	10 мм	Постоянный кварц 0,5 мм	0,2 мкм	1000032397
600 мкг/см?	10 мм	10 мм	Постоянный кварц 0,5 мм	0,3 мкм	1000032407
966 мкг/см?	10 мм	10 мм	Перманентный полиэстер 25 мкм	0,5 мкм	1000032453
966 мкг/см?	25 мм	25 мм	Перманентный полиэстер 25 мкм	0,5 мкм	1000032455

Тонкая пленка
Толщина         ±           ± 30 %

Атомные свойства
Атомный номер     79
Кристаллическая структура     Гранецентрированная кубическая
Электронная структура     Xe 4f?? 5d?? 6s?
Показаны валентности     1,3
Атомный вес (а.е.м.)    196,9665
Поперечное сечение поглощения тепловых нейтронов (барны)     98,8
Фотоэлектрическая работа выхода (эВ)     4.8
Атомный радиус - Гольдшмидта (нм)     0,144
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     1/ 9,22
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     2/ 20,5
Механические свойства
Состояние материала     Мягкий
Состояние материала     Твердый
Коэффициент Пуассона     0,42
Коэффициент Пуассона     0,42
Модуль объемной деформации (ГПа)     171
Модуль объемной деформации (ГПа)     171
Модуль упругости при растяжении (ГПа)     78,5
Модуль упругости при растяжении (ГПа)     78,5
Твердость по Виккерсу (кгс мм??)     20-30
Твердость по Виккерсу (кгс мм??)     60
Предел прочности на разрыв (МПа)     130
Предел прочности на разрыв (МПа)     220
Предел текучести (МПа)     205
Предел текучести (МПа)     -
Электрические свойства
Электрическое сопротивление (мкОмсм)     2,20 при 20 при 20°C
Температурный коэффициент (K??)     0,004 при 0–100°C
Термо-ЭДС относительно Pt (холодная 0C - горячая 100C) (мВ)     0,74
Физические свойства
Точка кипения (C)     3080
Плотность (гсм??)     19,3 при 20°C
Термические свойства
Точка плавления (C)    1064,4
Скрытая теплота испарения ( Дж г?? )     1738
Скрытая теплота плавления ( Дж г?? )     64,9
Удельная теплоемкость ( Дж K?? кг?? )     129 при 25°C
Теплопроводность ( Вт·м?? K?? )     318 при 0–100°C
Коэффициент теплового расширения (x10?? K??)     14,1 при 0–100°C Монокристаллический медный диск