Слиток теллура Goodfellow

представляют собой стабильную, высокочистую форму этого металлоида, ценимого за его уникальные полупроводниковые свойства, фотопроводимость и термоэлектрическое поведение. Форма слитка обеспечивает контролируемую чистоту и удобство обращения для последующей обработки, такой как легирование или выращивание кристаллов. Отрасли, в том числе термоэлектрика, металлургия и электроника, используют слитки теллура для производства термоэлектрических модулей, улучшения обрабатываемости стали и медных сплавов, а также производства полупроводниковых приборов. Конкретные области применения включают системы охлаждения на основе теллурида висмута, высокопроизводительные солнечные панели и материалы с памятью с фазовым изменением. В исследованиях слитки теллура необходимы для изучения новых полупроводников на основе халькогенидов, изучения топологических изоляторов и повышения эффективности термоэлектрического преобразования. Формат слитков представляет собой универсальный исходный материал, поддерживающий как экспериментальные инновации, так и крупномасштабное производство в секторах передовых технологий.

Формула: Te
Форма: гранулы/куски
Материал: Теллур.
CAS Номер: 13494-80-9
Товар: Металлы

Чистота	Вес	Кат. номер
99.95%	200г	1000003619
99.999%	300г	1000039708
99.999%	50г	1000099172
99.999%	20г	1000099889
99.95%	100г	1000173376
99.999%	100г	1000184503
99.999%	1г	1000186061
99.999%	2г	1000186363
99.999%	3г	1000186441
99.999%	5г	1000186517
99.999%	30г Кремниевые гранулы	1000187170
99.95%	1г	1000187972
99.95%	2г	1000188039
99.95%	3г	1000188143
99.95%	5г	1000188202
99.95%	10 г	1000188480
99.95%	20г	1000188747
99.95%	30г Кремниевые гранулы	1000188919
99.95%	300г	1000189124
99.95%	500г	1000189599
99.95%	1000г	1000189651
99.999%	200г	1000192130
99.999%	400г	1000192138
99.999%	500г	1000192140
99.95%	50г	1000192152
99.999%	10 г	1000211585
99.999%	25г	1000211588

Пеллеты
Максимальный размер куска          ±           ± номинальный

Атомные свойства
Атомный номер     52
Кристаллическая структура     Шестиугольная
Электронная структура     Kr 4d?? 5s? 5p?
Показаны валентности     2,4,6
Атомный вес (а.е.м.)     127,6
Поперечное сечение поглощения тепловых нейтронов (барны)     4.7
Фотоэлектрическая работа выхода (эВ)     4.8
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     124/ 4,6
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     125/ 7,0
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     123/ 0,9
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     126/ 18,7
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     120/ 0,1
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     128/ 31,7
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     122/ 2,5
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     130/ 34,5
Атомный радиус - Гольдшмидта (нм)     0,143
Ионизационный потенциал (кол-во/эВ)     3/ 28,0
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     4/ 37,4
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     1/ 9,01
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     6/ 70,7
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     5/ 58,8
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     2/ 18,6
Механические свойства
Твердость — Моос     2,3
Состояние материала     Поликристаллический
Коэффициент Пуассона    0,16–0,3
Модуль объемной деформации (ГПа)     31,4
Модуль упругости (ГПа)     47,1
Электрические свойства
Электрическое сопротивление (мкОмсм)     1,6x10? при 0 при 0°C
Физические свойства
Точка кипения (C)     990
Плотность (гсм??)     6,25 при 20°C
Термические свойства
Точка плавления (C)    450
Скрытая теплота испарения ( Дж г?? )     820
Скрытая теплота плавления ( Дж г?? )     138
Удельная теплоемкость ( Дж K?? кг?? )     201 при 25°C
Теплопроводность ( Вт·м?? K?? )     3,3 при 0–100°C
Коэффициент теплового расширения (x10?? K??)     16,75 при 0–100°C