Кремниевый стержень Goodfellow

сочетает в себе высокую чистоту, структурную целостность и контролируемую кристалличность, что делает его предпочтительной формой для зонного рафинирования, выращивания кристаллов и производства полупроводников. Геометрия его стержня поддерживает такие процессы, как метод Чохральского и метод плавающей зоны, что позволяет производить бездефектные монокристаллы для микроэлектроники и фотоэлектрических приложений. В таких отраслях, как полупроводники, оптика и хранение энергии, кремниевые стержни используются для производства пластин, подложек оптических компонентов и исследований в области современных анодов для батарей. Конкретные области применения включают производство монокристаллических пластин для интегральных схем, производство прецизионных оптических зеркал и экспериментальный синтез композитов на основе кремния. В исследованиях кремниевые стержни позволяют точно изучать дефекты кристаллов, поведение легирования и теплопроводность в объемном кремнии. Их роль в обеспечении производства сверхчистого кремния подчеркивает их промышленную и научную значимость.

Формула: Si
Форма: Стержень
Материал: кремний
CAS Номер: 7440-21-3
Товар: Металлы

Диаметр	Длина	Кат. номер
25 мм	100 мм	1000006812
2 мм	50 мм	1000007729
5 мм	50 мм	1000043714
2 мм	10 мм	1000058568
5 мм	100 мм	1000095989
2 мм	100 мм	1000180840
2 мм	20 мм	1000180846
2 мм	25 мм	1000180850
2 мм	30 мм	1000180853
5 мм	10 мм	1000180872
5 мм	20 мм	1000180875
5 мм	30 мм	1000180878
25 мм	10 мм	1000180920
25 мм	20 мм	1000180924
25 мм	30 мм	1000180928
25 мм	50 мм	1000180931

Стержень
Диаметр         ± =<10mm         ± ±10%
Диаметр         ± >10 мм         ± ±5%

Атомные свойства
Атомный номер     14
Кристаллическая структура     Алмаз
Электронная структура     Ne 3s? 3p?
Показаны валентности     4
Атомный вес (а.е.м.)    28,0855
Поперечное сечение поглощения тепловых нейтронов (барны)     0,16
Фотоэлектрическая работа выхода (эВ)     4.2
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     30/ 3.10
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     29/ 4,67
Распределение природных изотопов (массовое количество/%)     28/ 92,23
Атомный радиус - Гольдшмидта (нм)     0,117
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     5/ 167
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     1/ 8,15
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     2/ 16,3
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     3/ 33,5
Ионизационный потенциал (кол-во/эВ)     4/ 45,1
Потенциал ионизации (кол-во/эВ)     6/ 205
Механические свойства
Твердость - Моос     7
Состояние материала     Поликристаллический
Коэффициент Пуассона     0,42
Модуль объемной деформации (ГПа)     100
Модуль упругости при растяжении (ГПа)     113
Электрические свойства
Электрическое сопротивление (мкОмсм)     23 x 10?? при 20 при 20°C
Термо-ЭДС относительно Pt (холодная 0C - горячая 100C) (мВ)      -41,56
Физические свойства
Точка кипения (C)     2355
Плотность (гсм??)     2,34 при 20°C
Термические свойства
Точка плавления (C)     1410
Скрытая теплота испарения ( Дж г?? )     13700
Скрытая теплота плавления ( Дж г?? )     1650
Удельная теплоемкость ( Дж K?? кг?? )     703 при 25°C
Теплопроводность ( Вт·м?? K?? )     80–150 при 0–100°C
Коэффициент теплового расширения (x10?? K??)     4,7–7,6 при 0–100°C