Оптика EUV Optics Rigaku

Многослойная оптика для литографии в экстремальном ультрафиолете и метрологии EUV

Высокоэффективная многослойная оптика для длин волн 13,5 нм, 6.x нм

Rigaku является эксклюзивным поставщиком многослойных покрытий и оптики Osmic для EUV. Основываясь на более чем 40-летнем опыте разработки и поставки многослойных рентгеновских покрытий и оптики для промышленного и научного использования, наши продукты обеспечивают наивысшую производительность системы, оптимизируя многослойный оптический дизайн в соответствии с приложением и характеристиками источника/инструмента.

Узнайте больше о технологиях и возможностях RIT в области EUV

Прочитайте некоторые из историй успеха RIT с многослойными покрытиями и покрытиями EUV

Оптика от скользящего до нормального падения для 13,5 нм (EUV)

EUVL широко используется в массовом производстве интегральных схем памяти и логики. Многослойные покрытия Mo/Si, оптимизированные для EUV, с защитными слоями различных конструкций доступны от Rigaku для использования в коллекции, кондиционировании луча перед ретикулом для сканеров и кондиционировании луча перед образцом и изображении после образца для метрологии.

Оптика от скользящего до нормального падения для 6.x нм (BEUV)

За пределами EUV (BEUV) основана на текущей разработке новых рентгеновских источников и связанных с ними многослойных оптик. Сегодня мы предлагаем оптику с наивысшей производительностью для BEUV.

Примеры оптики EUV

Технологии и возможности EUV

RIT обладает проверенной экспертизой и способностью решать любые требования к приложению или дизайну, с индивидуальными многослойными конструкциями для удовлетворения уникальных требований оптической системы. RIT является глобальным поставщиком коллекторов EUV, осветительной и изображающей оптики с продемонстрированными мировыми результатами в почти каждом классе оптики EUV.

Возможности

Эталонные показатели производительности MoSi

Для того чтобы многослойные покрытия EUV были практически полезны, они должны иметь ультранизкую шероховатость на нанометровом уровне, измеряемую только с помощью атомно-силового микроскопа (AFM). Типичное многослойное покрытие из молибдена и кремния (MoSi) будет содержать 80 отдельных тонких слоев толщиной от 2,5 нм до 4 нм, где шероховатость каждого интерфейса должна быть менее 0,2 нм. Для сравнения, радиус отдельного атома Mo составляет 0,14 нм!

Rigaku неоднократно демонстрирует способность производить многослойные покрытия EUV мирового класса. Некоторые из наших достижений и эталонных показателей показаны ниже.

Чемпионское многослойное покрытие MoSi

С использованием оптимизированных слоев стабилизации интерфейса, чемпионская производительность Rigaku с MoSi составляет 69,2% пиковой отражательной способности для нормального падения. По сравнению с рутинной производительностью Rigaku в 66,5% для 40-слойного ML и 67,5% для 60-периодного ML, эта чемпионская производительность обеспечит до +60% больше общей мощности в 12-оптической литографической системе.

Высокотемпературные многослойные покрытия Mo/X/Si

С использованием слоев стабилизации интерфейса, оптимизированных для температурной стабильности, Rigaku производит многослойные покрытия EUV с отличной температурной стабильностью, способные сохранять высокую отражательную способность и минимальное смещение пика при воздействии вакуумного отжига при высоких температурах.

Многослойные покрытия EUV с высокой селективностью

В дополнение к стандартным многослойным покрытиям MoSi с полосой пропускания ~4%, Rigaku разработала многослойные покрытия для специализированных приложений, требующих высокой селективности. Многослойное покрытие ниже сужает полосу пропускания до 1,1% с использованием слоев SiC и Si.

Истории успеха EUV

Пример 1: Система освещения

В 2013 году Rigaku завершила 5-оптическую систему освещения, позже связанную с поставкой в 2016 году коллектора диаметром более 400 мм. В дополнение к предоставлению всех многослойных покрытий, Rigaku сыграла ключевую роль в анализе оптического дизайна с использованием таких инструментов, как Zemax, для оптимизации оптической схемы, форм оптики и многослойных конструкций.

Коллекторная оптика была фокусирующим эллипсоидом вращения и имела поверхностную решетку, которая отклоняла нежелательное инфракрасное (IR) излучение с минимальным воздействием на отражение источника EUV 13,5 нм. *Пример 1, любезно предоставлен "Недавнее исследование выделения резиста в водородной среде", Эйши Шиобара и др., 2016 Международный симпозиум по литографии в экстремальном ультрафиолете, International Sematech, Хиросима, Япония, 2016.

Коллектор доставлял свет EUV к тройке параболоидных оптик, которые создавали два отдельных луча спроектированного освещения, перенаправленных через пару плоских оптик EUV с углом падения 45°.

Пример 2: Система освещения + изображения

В 2012 году Rigaku завершила многооптическую систему для высокоточного изображения. Первые две оптики были прецизионными эллипсоидными поверхностями с кинематическими системами крепления, разработанными Rigaku, которые доставляли свет в систему изображения Шварцшильда, состоящую из пары асферических оптик. Эти осветительные оптики требовали сложных двухмерных многослойных градиентов для эффективной доставки фотонов EUV.

Оптика изображения была нанесена с ультраточностью с радиальной симметрией для минимизации искажений почти идеальной поверхности оптики. Вклад многослойных покрытий в ошибку фигуры был ниже 200 пикометров. *Пример 2, любезно предоставлен "Улучшение возможностей обзора дефектов для инструмента инспекции пустых масок", Киваму Такехиса и др., 2016 Международный симпозиум по литографии в экстремальном ультрафиолете, International Sematech, Хиросима, Япония, 2016.

Пример 3: Система освещения + изображения

В 2005 году Rigaku завершила многооптическую систему изображения ретикул, состоящую из четырех осветительных оптик (C1-C4) и пары оптик изображения (M1-M2). Требовались точные и сложные многослойные градиенты для обеспечения равномерного освещения, а также ультранизких добавленных искажений в поле изображения. *Пример 3, изображение любезно предоставлено частными коммуникациями, справочный материал симпозиума EUVL 2006 года, Proc. SPIE 6151, Emerging Lithographic Technologies X, (24 марта 2006 года)